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思特威（上海）电子科技股份有限公司近日宣布，全新推出2MP超小尺寸医疗应用CMOS图像传感器——SC1400ME。此款新品基于思特威先进的SmartClarity®-3技术平台打造，搭载了思特威专利SFCPixel®技术，具备高色彩还原度、高感度、低噪声、低功耗等多项性能优势，能够为医疗内窥镜摄像头带来清晰稳定的高质量彩色影像。SC1400ME封装尺寸仅约1.9mm×2.5mm，可适用于胃肠镜、腹腔镜等多种医疗内窥镜设备，全面助力医疗影像能力升级。超小尺寸更佳视野，适配多元医疗应用医疗内窥镜是一种由镜头、图像传感器、照明光源及操作装置等元件组成的医疗检测仪器，其体积微小，管身细长，能够通过人体自然腔道或者微小手术切口进入体内，帮助医生完成检测及微创手术等辅助医疗工作。内窥镜入体检测的应用场景，要求了影像系统元件的整体微型化。SC1400ME采用了紧凑型CSP-OP封装，其封装尺寸仅约1.9mm×2.5mm，能够很好地适用于胃肠镜、腹腔镜、膀胱镜、喉镜、宫腔镜等多类型的医疗内窥镜。并且，针对医疗内窥镜细长圆形管径及镜头特征，SC1400ME采用医疗专用正方形1:1分辨率（1400*1400），可获得更大视场角，为内窥镜摄像头带来更好视野。出色成像效果，打造高清高质量医疗影像通过医疗内窥镜，医生可以观察到人体内部的组织及器官情况，其成像效果极大影响着医生对病变及异常判断的准确性，是辅助诊断与治疗的重要依据。SC1400ME具备高色彩还原度、高感度、低噪声、低功耗等多项性能优势，能够为医疗内窥镜摄像头带来清晰、明亮、稳定的高清彩色图像，显著提升医疗影像图像质量。高色彩还原度为准确辨别人体组织的异常和病变，医疗内窥镜对影像系统的色彩效果有着较高的要求。 [天津万源聚内容采编：徐小强]

中国科学院微电子研究所李博研究员、陆芃副研究员团队基于碳纳米管材料低温成膜能力，提出一种碳纳米管/硅异质集成（CNT/Si heterogeneous integration）的3D CMOS技术，实现了180nm SOI器件后道的低温（≤150℃）碳纳米管器件集成。中国科学院微电子所AFM：碳纳米管/硅异质集成的3D CMOS技术 [天津万源聚内容采编：秦戈]

可控电参数的低位错磷化铟单晶制备1986年二、三、四毫米硅肖特基势垒二极管检测器1986年 GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究1986年 1.3μm单模低阈值、长寿命激光器的研制1986年水平法低位错GaAs的单晶1986年提高高纯水质量的研究1986年兼容宏单元多元胞模式自动布局和四边通道布线算法1986年多元电路万能函数发生器1986年高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs1986年 GaAs表面和介面性质对毫米波器件性质的影响1986年二、三毫米硅雪崩振荡器1986年 N+NP+型InGaAs/InP异质结构PIN光电探测器1986年分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格材料制备的特性1986年高速双向负阻晶体管1986年砷化镓霍尔器件1986年固体化高压毫微秒脉冲电源1987年二、三、四毫米波段硅肖特基势垒二极管1987年 1.3微米基横模、低阈值、长寿命激光器1987年长波长光探测器件及光发射器件1987年硅单晶次缺陷图集1987年 LSIS－II自动布图设计系统1987年共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究1987年分子束外延高质量GaAs-GaAlAs材料研究1987年抗辐照SOS－CMOS集成电路1987年 GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究1987年匀相位半导体激光器及相位测试设备1987年 GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究1988年掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备1988年 DMF－1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器1988年离子色谱在半导体工业中的应用1988年单层金属工艺条件下高密度布线设计1989年超晶格电子态理论1989年微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究1989年砷化镓中杂质缺陷的红外研究1989年 LPE GaInAsSb/InP异质材料的生长和性质研究1989年双束合成低能离子束外延实验机1989年电子级气体SJ2794~2797-87电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2804.1-87 SJ2805~2807-871990年 [天津万源聚内容采编：何功利]

【世界首台非硅二维材料计算机问世有助造出更薄更快更节能电子产品】科技日报北京6月11日电（记者张梦然）硅在支撑智能手机、电脑、电动汽车等产品的半导体技术中一直占据着王者地位，但美国宾夕法尼亚州立大学领导的一个研究团队发现，“硅王”的统治地位可能正在受到挑战。该团队在最新一期《自然》杂志上发表了一项突破性成果：他们首次利用二维材料制造出一台能够执行简单操作的计算机。这项研究标志着向造出更薄、更快、更节能的电子产品迈出了重要一步。　　此次开发的是一种互补金属氧化物半导体（CMOS）计算机。与以往不同的是，这次没有使用硅，取而代之的是两种二维材料：用于n型晶体管的二硫化钼和用于p型晶体管的二硒化钨。这两种材料的厚度只有一个原子，在如此微小尺度下仍能保持优异的电子性能，是硅所不具备的优势。　　团队采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，生长出大面积的二硫化钼和二硒化钨薄膜，并分别制造出超过1000个n型和p型晶体管。通过精确调整制造工艺和后续处理步骤，团队成功调控了n型和p型晶体管的阈值电压，从而构建出功能完整的CMOS逻辑电路。　　该二维CMOS计算机称为“单指令集计算机”，可以在低电源电压下运行，功耗极低，并能在高达25千赫的频率下执行简单的逻辑运算。虽然目前的工作频率低于传统硅基CMOS电路，但该计算机依然能够完成基本的计算任务。团队还开发了一个计算模型，使用实验数据进行校准并结合设备之间的差异，以预测二维CMOS计算机的性能，并通过基准测试将其与最先进的硅技术进行了对比。　　团队表示，尽管还有进一步优化的空间， [天津万源聚内容采编：徐小强]

世界首台非硅二维材料计算机问世有助造出更薄更快更节能电子产品2025-06-12 来源：科技日报张梦然硅在支撑智能手机、电脑、电动汽车等产品的半导体技术中一直占据着王者地位，但美国宾夕法尼亚州立大学领导的一个研究团队发现，“硅王”的统治地位可能正在受到挑战。该团队在最新一期《自然》杂志上发表了一项突破性成果：他们首次利用二维材料制造出一台能够执行简单操作的计算机。这项研究标志着向造出更薄、更快、更节能的电子产品迈出了重要一步。此次开发的是一种互补金属氧化物半导体（CMOS）计算机。与以往不同的是，这次没有使用硅，取而代之的是两种二维材料：用于n型晶体管的二硫化钼和用于p型晶体管的二硒化钨。这两种材料的厚度只有一个原子，在如此微小尺度下仍能保持优异的电子性能，是硅所不具备的优势。团队采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，生长出大面积的二硫化钼和二硒化钨薄膜，并分别制造出超过1000个n型和p型晶体管。通过精确调整制造工艺和后续处理步骤，团队成功调控了n型和p型晶体管的阈值电压，从而构建出功能完整的CMOS逻辑电路。该二维CMOS计算机称为“单指令集计算机”，可以在低电源电压下运行，功耗极低，并能在高达25千赫的频率下执行简单的逻辑运算。虽然目前的工作频率低于传统硅基CMOS电路，但该计算机依然能够完成基本的计算任务。团队还开发了一个计算模型，使用实验数据进行校准并结合设备之间的差异，以预测二维CMOS计算机的性能，并通过基准测试将其与最先进的硅技术进行了对比。团队表示，尽管还有进一步优化的空间，但这已经是二维材料在电子领域应用中的一个重要里程碑。 [天津万源聚内容采编：秦戈]

【#世界首台非硅二维材料计算机问世#，有助于造出更薄更快更节能的电子产品】6 月 12 日消息，在半导体技术领域，硅一直是智能手机、计算机、电动汽车等众多现代电子设备的核心材料。然而，一项由宾州州立大学（Penn State）研究人员主导的最新研究显示，硅的“霸主地位”可能正受到挑战。该研究团队世界首次利用二维材料（2D materials）开发出了一台能够执行简单运算的计算机。这些二维材料仅有一个原子的厚度，且在如此微小的尺度下仍能保持其优异的物理特性，与硅相比具有显著优势。这一成果发表在《自然》杂志上，标志着向造出更薄、更快、更节能的电子产品迈出了重要一步。研究人员成功制造了一台互补金属氧化物半导体（CMOS）计算机，这一过程并未依赖传统的硅材料。他们选用了两种不同的二维材料来分别制造 CMOS 计算机所需的两种晶体管：二硫化钼（molybdenum disulfide）用于制造 n 型晶体管，二硒化钨（tungsten diselenide）用于制造 p 型晶体管。这两种晶体管共同控制电流流动，是实现 CMOS 计算机功能的关键。 [天津万源聚内容采编：秦戈]

【#世界首台非硅二维材料计算机问世#】#科技快讯#近日，美国宾夕法尼亚州立大学领导的研究团队带来重大突破，成功制造出世界首台非硅二维材料计算机。该计算机采用互补金属氧化物半导体（CMOS）架构，摒弃传统硅材料，选用二硫化钼（用于n型晶体管）和二硒化钨（用于p型晶体管）这两种二维材料，它们厚度仅一个原子，却在微小尺度下展现出硅所不具备的优异电子性能。为完成制造，团队运用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，生长出大面积薄膜，分别制备超1000个n型和p型晶体管。通过精细调控工艺和后续处理，成功调控晶体管阈值电压，构建出功能完备的CMOS逻辑电路。这台被称为“单指令集计算机”的设备，能在低电源电压下运行，功耗极低，可在25千赫频率下执行简单逻辑运算，虽工作频率低于传统硅基CMOS电路，但已能完成基本计算任务。此次成果为下一代电子设备提供全新材料选择，为未来芯片设计开辟新方向。 [天津万源聚内容采编：王鹏]

二维材料计算机研制成功• 6月12日消息，据媒体报道，美国宾夕法尼亚州立大学领导的研究团队首次利用二维材料成功制造出一台可执行简单操作的计算机。这一突破为开发更薄、更快、更节能的电子产品奠定了重要基础。计算机的技术基础与创新• 该计算机基于互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，但关键创新在于摒弃了传统硅材料，转而采用两种二维材料：用于n型晶体管的二硫化钼和用于p型晶体管的二硒化钨。二维材料的优势• 这两种材料仅有一个原子层厚度，却能在如此微小尺度下保持优异的电学性能，这是硅材料难以企及的优势。晶体管的制造• 研究团队采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，生长出大面积二硫化钼和二硒化钨薄膜，并分别制造了超过1000个n型和p型晶体管。CMOS逻辑电路的构建• 通过精密工艺调控，团队成功设定了n型和p型晶体管的阈值电压，从而构建出功能完整的CMOS逻辑电路。二维CMOS计算机的性能• 这台二维CMOS计算机属于“单指令集计算机”，可在低电源电压下以超低功耗运行，并能在高达25千赫的频率下执行基本逻辑运算。虽然当前工作频率低于传统硅基CMOS电路，但它已能完成基础计算任务。计算模型的开发与对比• 团队还开发了计算模型，利用实验数据校准并考虑器件差异性，预测二维计算机性能，并通过基准测试与先进硅技术进行了对比。研究成果的意义• 研究人员指出，尽管仍有优化空间，但这项成果已是二维材料电子学领域的重要里程碑。它不仅为下一代电子设备提供了全新的材料选项，也为未来芯片设计开辟了新方向。#世界首台非硅二维材料计算机问世# [天津万源聚内容采编：徐小强]

菊菊多光谱摄像头的影像收益不错，迭代方案在测试了，会将像素点提高到5Mp±，覆盖全场景的色彩还原，兼顾更高规格的拍照和视频 [天津万源聚内容采编：段志强]

索尼刚刚发布了新旗舰索尼Xperia 1 VII三维162.0x74.0x8.2mm, 197g骁龙8E处理器标配，IP65/68也都有甚至还有耳机孔！6.5''屏幕但是缩水到了1080P主摄：48MP 1/1.35'' f/1.9，还是IMX888长焦：连续光学变焦，12 MP 1/3.5", f/2.3-3.5，85-170mm 有个特点是可以做到120mm端4cm微距超广角：升级到48 MP, f/2.0, 16mm, 1/1.56",中端机主摄级别5000mAh电池，按照索尼的话，妥妥用两天（图3）售价1499欧元，香港区域HK$10199怎么样 [天津万源聚内容采编：何功利]

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